Número do Produto do Fabricante:
TSM8N80CI C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM8N80CI C0G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventário:
995 Pcs Novo Original Em Estoque
12895728
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TSM8N80CI C0G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1921 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
40.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ITO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número do produto base
TSM8N80
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-2068-TSM8N80CIC0GDKR
-2068-TSM8N80CIC0G
TSM8N80CI C0G-DG
TSM8N80CIC0G
-2068-TSM8N80CIC0GDKR-DG
-2068-TSM8N80CIC0GDKRINACTIVE
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
DMP2066UFDE-7
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
TSM60NB099PW C1G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
TSM045NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN
